[ Pobierz całość w formacie PDF ]
nawet niewielkie dławiki umożliwiają przeniesienie znacznej mo-
n
a
w
e
t
n
i
e
w
i
e
l
k
i
e
d
Å‚
a
w
i
k
i
u
m
o
ż
l
i
w
i
a
j
Ä…
p
r
z
e
n
i
e
s
i
e
n
i
e
z
n
a
c
z
n
e
j
m
o
C7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22nF
cy. Należy zauważyć, iż
c
y
.
N
a
l
e
ż
y
z
a
u
w
a
ż
y
ć
,
i
ż
C8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47nF
dławiki o mniejszej in-
d
Å‚
a
w
i
k
i
o
m
n
i
e
j
s
z
e
j
i
n
C8A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100nF
dukcyjności mają zde-
d
u
k
c
y
j
n
o
Å›
c
i
m
a
j
Ä…
z
d
e
C8B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .220nF
cydowanie większe
c
y
d
o
w
a
n
i
e
w
i
Ä™
k
s
z
e
C9,C10 . . . . . . . . . . . . . . . . .2200µF/25V
dopuszczalne prÄ…dy Ip,
d
o
p
u
s
z
c
z
a
l
n
e
p
r
Ä…
d
y
I
p
,
C11,C12 . . . . . . . . . . . . . . . .1000µF/25V
mniejszÄ… rezystancjÄ™,
m
n
i
e
j
s
z
Ä…
r
e
z
y
s
t
a
n
c
j
Ä™
,
C15,C16 . . . . . . . . . . .100nF ceramiczny
a tym samym umożli-
a
t
y
m
s
a
m
y
m
u
m
o
ż
l
i
C17 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100pF
wiajÄ… przeniesienie
w
i
a
j
Ä…
p
r
z
e
n
i
e
s
i
e
n
i
e
mocy znacznie więk-
m
o
c
y
z
n
a
c
z
n
i
e
w
i
Ä™
k
Półprzewodniki
szych, niż dławiki tej
s
z
y
c
h
,
n
i
ż
d
Å‚
a
w
i
k
i
t
e
j
*D1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1N4148
samej wielkości
s
a
m
e
j
w
i
e
l
k
o
Å›
c
i
D2 . . . . . . . . . . . .dioda Schottky` ego 3A
o większej indukcyjno-
o
w
i
Ä™
k
s
z
e
j
i
n
d
u
k
c
y
j
n
o
D3 . . . . . . . . . . . . . . . .dioda Zenera 24V
ści. Niestety, mała in-
Å›
c
i
.
N
i
e
s
t
e
t
y
,
m
a
Å‚
a
i
n
D4 . . . . . . . . . . . . . . . .dioda Zenera 12V
dukcyjność wymusza
d
u
k
c
y
j
n
o
Å›
ć
w
y
m
u
s
z
a
T1 . . . . . . . . . . . . . . . .BUZ11 lub BUZ10
konieczność pracy przy
k
o
n
i
e
c
z
n
o
Å›
ć
p
r
a
c
y
p
r
z
y
T2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BC548B
dużych częstotliwo-
d
u
ż
y
c
h
c
z
Ä™
s
t
o
t
l
i
w
o
T3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BDP285
ściach, co zwiększa
Å›
c
i
a
c
h
,
c
o
z
w
i
Ä™
k
s
z
a
U1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4049
straty przełączania tran-
s
t
r
a
t
y
p
r
z
e
Å‚
Ä…
c
z
a
n
i
a
t
r
a
n
zystorów, straty histe-
z
y
s
t
o
r
ó
w
,
s
t
r
a
t
y
h
i
s
t
e
rezy w rdzeniu oraz ry- Pozostałe
r
e
z
y
w
r
d
z
e
n
i
u
o
r
a
z
r
y
JP1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .JUMPER
zyko generowania za-
z
y
k
o
g
e
n
e
r
o
w
a
n
i
a
z
a
S1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .DIPswitch 8
kłóceń.
k
Å‚
ó
c
e
Å„
.
podstawka pod DIP-switch S1
W praktyce należy
W
p
r
a
k
t
y
c
e
n
a
l
e
ż
y
S2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .DIPswitch 10
przyjąć rozsądny kom-
p
r
z
y
j
Ä…
ć
r
o
z
s
Ä…
d
n
y
k
o
m
Y1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .PIEZO z gen.
promis, by z jednej
p
r
o
m
i
s
,
b
y
z
j
e
d
n
e
j
Zaciskowe złącze
strony uzyskać znaczną
s
t
r
o
n
y
u
z
y
s
k
a
ć
z
n
a
c
z
n
Ä…
*Elementy nie wchodzą w skład kitu.
moc, a z drugiej nie pra-
m
o
c
,
a
z
d
r
u
g
i
e
j
n
i
e
p
r
a
cować ze zbyt dużą
c
o
w
a
ć
z
e
z
b
y
t
d
u
ż
Ä…
częstotliwością, nie
c
z
Ä™
s
t
o
t
l
i
w
o
Å›
c
i
Ä…
,
n
i
e
zwiększać nadmiernie
z
w
i
Ä™
k
s
z
a
ć
n
a
d
m
i
e
r
n
i
e
strat i poziomu genero-
s
t
r
a
t
i
p
o
z
i
o
m
u
g
e
n
e
r
o
Komplet podzespołów z płytką
K
o
m
p
l
e
t
p
o
d
z
e
s
p
o
Å‚
ó
w
z
p
Å‚
y
t
k
Ä…
wanych zakłóceń.
w
a
n
y
c
h
z
a
k
Å‚
ó
c
e
Å„
.
jest dostępny w sieci handlowej
j
e
s
t
d
o
s
t
Ä™
p
n
y
w
s
i
e
c
i
h
a
n
d
l
o
w
e
j
AVT jako kit AVT-2382
A
V
T
j
a
k
o
k
i
t
A
V
T
2
3
8
2
24 ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 10/99
Projekty AVT
P
r
o
j
e
k
t
y
A
V
T
lub podwyższają-
cej, należy zmie- Wzory na moc nie uwzględniają strat.
rzyć wartość prą- Tym samym przy częstotliwościach rzę-
du Ip, a następnie du 50...300% fmin uzyskane praktycznie
z grubsza oszaco- moce będą 30...50% mniejsze od obli-
wać moc według czonych z podanych wzorów. Dla często-
wzorów poda- tliwości fmin moce byłyby o 53...60%
nych w Listach mniejsze od obliczonych.
od Piotra .
Zależność na- Podsumowanie
pięcia wyjściowe- Powyższe rozważania mogą się wyda-
go od współczyn- wać skomplikowane, jednak w praktyce
nika wypełnienia okazuje się, iż interpretacja przebiegów
oraz teoretyczne występujących na ekranie oscyloskopu
moce przetwornic wcale nie jest trudna. NaprawdÄ™ wystar-
przy założeniu czy pół godziny eksperymentów i porów-
100-procentowej nanie uzyskanych przebiegów z rysunka-
sprawności i przy mi z Listów od Piotra , by wszystko sta-
turę cewki), może zastosować elementy bardzo dużych częstotliwościach pracy ło się jasne i proste.
D1, R3, które umożliwiają zmianę współ- (wielokrotnie większych od fmin) opisane Po uporządkowaniu sobie w głowie
czynnika wypełnienia, a w konsekwencji są następującymi prostymi wzorami: podstawowych zależności, opisany przy-
zmianę napięcia wyjściowego w trybie, rząd okaże się niezastąpioną pomocą
o
d
w
r
a
c
a
j
Ä…
c
a
:
gdy prÄ…d w cewce nie spada do zera. odwracajÄ…ca: U2=(ton/toff)U1 przy budowie wszelkich przetwornic in-
P=U1*Ip (ton/T) dukcyjnych.
Inne przetwornice
p
r
z
e
p
u
s
t
o
w
a
:
Opisana prosta procedura sprawdzania, przepustowa: U2=(ton/T)U1 Powodzenia!
ile da się wycisnąć z cewki, dotyczy je- P =U1*Ip (ton/T)
dynie przetwornicy zaporowej. Jeśli doce-
p
o
d
w
y
ż
s
z
a
j
Ä…
c
a
:
P
i
o
t
r
G
ó
r
e
c
k
i
lowo cewka miałaby pracować nie w prze- podwyższająca: U2=(T/toff)U1 Piotr Górecki
Z
b
i
g
n
i
e
w
O
r
Å‚
o
w
s
k
i
twornicy zaporowej, tylko przepustowej P=U1*Ip Zbigniew Orłowski
ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 10/99 25
[ Pobierz całość w formacie PDF ]